Інші пропозиції HGTP10N120BN
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HGTP10N120BN | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
| HGTP10N120BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||
|
|
HGTP10N120BN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
HGTP10N120BN | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-220-3 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 23ns/165ns Switching Energy: 320µJ (on), 800µJ (off) Test Condition: 960V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 298 W |
товар відсутній |
|
 |
HGTP10N120BN | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch |
товар відсутній |