на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1832+ | 6.77 грн |
| 1899+ | 6.53 грн |
| 1924+ | 6.45 грн |
| 2000+ | 6.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN1A01F-GR(TE85L,F за ціною від 3.60 грн до 27.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mAtariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A |
на замовлення 9798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1A01F-GR(TE85L,F Код товару: 91733
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
 |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 |
товару немає в наявності |