Продукція > Транзистори > Біполярні PNP > HN1A01F-GR(TE85L,F

HN1A01F-GR(TE85L,F

docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F
Код товару: 91733
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні PNP

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HN1A01F-GR(TE85L,F за ціною від 6.94 грн до 7.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1A01F-GR(TE85L,F HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba hn1a01f_datasheet_en_20210625.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SM T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1832+7.67 грн
1899+7.40 грн
1924+7.31 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 1832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F HN1A01F-GR(TE85L,F Toshiba 71AF01EB86B161CFCB9EB46E70267FE70113082460F99064305852718C90DE4F.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F HN1A01F-GR(TE85L,F TOSHIBA docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F HN1A01F-GR(TE85L,F TOSHIBA docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F hn1a01f_datasheet_en_20210625.pdf
HN1A01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 6-Pin SM T/R
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1832+7.67 грн
1899+7.40 грн
1924+7.31 грн
2000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 1832 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F 71AF01EB86B161CFCB9EB46E70267FE70113082460F99064305852718C90DE4F.pdf
HN1A01F-GR(TE85L,F
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F
HN1A01F-GR(TE85L,F
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01F-GR(TE85L,F docget.jsp?did=19140&prodName=HN1A01F
HN1A01F-GR(TE85L,F
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.