
HN1A01F-GR(TE85L,F TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 6.12 грн |
1000+ | 3.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01F-GR(TE85L,F TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1A01F-GR(TE85L,F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN1A01F-GR(TE85L,F за ціною від 3.45 грн до 27.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 125°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 8779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
HN1A01F-GR(TE85L,F Код товару: 91733
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
HN1A01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() |
товару немає в наявності |