HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 3502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.34 грн |
13+ | 24.26 грн |
100+ | 11.95 грн |
1000+ | 6.08 грн |
3000+ | 5.21 грн |
9000+ | 4.14 грн |
24000+ | 3.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.
Інші пропозиції HN1A01F-Y(TE85L,F)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
HN1A01F-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
товар відсутній |