HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 36.46 грн |
| 100+ | 16.07 грн |
| 1000+ | 9.69 грн |
| 3000+ | 8.15 грн |
| 9000+ | 5.36 грн |
| 24000+ | 4.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01F-Y(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.
Інші пропозиції HN1A01F-Y(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1A01F-Y(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |