Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1A01FE-GR,LXHF
HN1A01FE-GR,LXHF

HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції HN1A01FE-GR,LXHF за ціною від 11.11 грн до 34.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.64 грн
11+28.61 грн
100+21.38 грн
500+15.76 грн
1000+12.18 грн
2000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+34.64 грн
11+28.61 грн
100+21.38 грн
500+15.76 грн
1000+12.18 грн
2000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.