Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1A01FE-GR,LXHF
HN1A01FE-GR,LXHF

HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1A01FE-GR,LXHF за ціною від 11.31 грн до 35.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
11+29.13 грн
100+21.77 грн
500+16.05 грн
1000+12.40 грн
2000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE-GR,LXHF Toshiba 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF HN1A01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22309&prodName=HN1A01FE
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.27 грн
11+29.13 грн
100+21.77 грн
500+16.05 грн
1000+12.40 грн
2000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-GR,LXHF 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf
HN1A01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.