HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=22309&prodName=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції HN1A01FE-Y,LXHF за ціною від 10.92 грн до 49.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1A01FE-Y,LXHF HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22309&prodName=HN1A01FE Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.26 грн
11+29.28 грн
100+18.83 грн
500+13.44 грн
1000+12.07 грн
2000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHF HN1A01FE-Y,LXHF Toshiba 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHF docget.jsp?did=22309&prodName=HN1A01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.26 грн
11+29.28 грн
100+18.83 грн
500+13.44 грн
1000+12.07 грн
2000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FE-Y,LXHF 7C3FA805E0917D8D425925321901F43B9A8BBD5AC49DF9ABBFAEF23A0F1D83BD.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.