HN1A01FU-GR,LF(T Toshiba
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2530+ | 4.84 грн |
| 2959+ | 4.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01FU-GR,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN1A01FU-GR,LF(T за ціною від 6.94 грн до 18.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1A01FU-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
HN1A01FU-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1A01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 50 V, 150 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| HN1A01FU-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US |
товару немає в наявності |