HN1A01FU-Y,LF Toshiba
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1A01FU-Y,LF Toshiba
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.
Інші пропозиції HN1A01FU-Y,LF за ціною від 2.76 грн до 17.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1A01FU-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN1A01FU-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP DUAL 50V 150MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: US6 Part Status: Active |
на замовлення 3119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1A01FU-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT US6 PLN TRANSISTOR Pd=200mW F=1MHz |
на замовлення 8184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN1A01FU-Y,LF | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |