HN1A01FU-Y,LXHF

HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1A01FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HN1A01FU-Y,LXHF за ціною від 3.38 грн до 28.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1A01FU_datasheet_en_20210630.pdf?did=19142&prodName=HN1A01FU Description: AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
18+17.12 грн
100+8.68 грн
500+6.64 грн
1000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1A01FU-Y,LXHF HN1A01FU-Y,LXHF Виробник : Toshiba HN1A01FU_datasheet_en_20210630-1916281.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
18+19.67 грн
100+7.12 грн
1000+5.28 грн
3000+4.18 грн
9000+3.60 грн
24000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.