
HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 2.88 грн |
1000+ | 2.64 грн |
2000+ | 2.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 100mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 100mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LF(T за ціною від 2.29 грн до 4.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HN1B04FE-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 100mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 100mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HN1B04FE-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.1W Case: SOT563F Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz |
на замовлення 8040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HN1B04FE-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
![]() Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.15A Power dissipation: 0.1W Case: SOT563F Current gain: 200...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 80MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 8040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HN1B04FE-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |