Продукція > TOSHIBA > HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FE-GR,LF(T

HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.88 грн
1000+2.64 грн
2000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B04FE-GR,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 100mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 100mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LF(T за ціною від 2.29 грн до 4.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FE-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 100 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 100mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 80MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 100mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+3.38 грн
278+2.96 грн
286+2.88 грн
1000+2.64 грн
2000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T Виробник : TOSHIBA HN1B04FE.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
120+3.79 грн
140+3.16 грн
380+2.42 грн
1020+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 120
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T Виробник : TOSHIBA HN1B04FE.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 50V; 0.15A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.1W
Case: SOT563F
Current gain: 200...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 80MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 8040 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
80+4.54 грн
100+3.93 грн
380+2.90 грн
1020+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FE-GR,LF(T HN1B04FE-GR,LF(T Виробник : Toshiba hn1b04fe_datasheet_en_20220118.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.