HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.67 грн |
| 11+ | 33.41 грн |
| 100+ | 18.71 грн |
| 500+ | 14.26 грн |
| 1000+ | 12.83 грн |
| 2000+ | 11.62 грн |
| 4000+ | 9.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6).
Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LXHF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1B04FE-GR,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товару немає в наявності |
|
|
|
HN1B04FE-GR,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товару немає в наявності |