HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Виробник: ToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.86 грн |
| 12+ | 27.02 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 12.75 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 8000+ | 8.14 грн |
| 24000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6).
Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LXHF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1B04FE-GR,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товар відсутній |
|
|
|
HN1B04FE-GR,LXHF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товар відсутній |