HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FE-GR,LXHF Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6).
Інші пропозиції HN1B04FE-GR,LXHF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
HN1B04FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
HN1B04FE-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| HN1B04FE-GR,LXHF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| HN1B04FE-GR,LXHF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
Description: AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



