Технічний опис HN1B04FE-Y,LF Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA.
Інші пропозиції HN1B04FE-Y,LF за ціною від 2.28 грн до 4.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1B04FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R |
на замовлення 6908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HN1B04FE-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HN1B04FE-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 6908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 4.50 грн |
| 248+ | 3.03 грн |
| 250+ | 3.00 грн |
| 255+ | 2.84 грн |
| 260+ | 2.58 грн |
| 500+ | 2.42 грн |
| 1000+ | 2.38 грн |
| 3000+ | 2.33 грн |
| 6000+ | 2.28 грн |