HN1B04FE-Y,LF Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.90 грн |
| 32+ | 10.27 грн |
| 100+ | 5.56 грн |
| 500+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 3.66 грн |
| 2000+ | 3.23 грн |
| 4000+ | 2.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1B04FE-Y,LF Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA.
Інші пропозиції HN1B04FE-Y,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1B04FE-Y,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6Part Status: Active Supplier Device Package: ES6 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Power - Max: 100mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN, PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |