Продукція > TOSHIBA > HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF Toshiba

Name: HN1B04FE-Y,LF
Brand: Toshiba
SKU: 126696-4
Price: 2.2 UAH
Availability: InStock

HN1B04FE_datasheet_en_20220118-1916342.pdf

Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp

на замовлення 860 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	21.03 грн
22+	14.28 грн
100+	5.07 грн
1000+	3.14 грн
4000+	3.07 грн
8000+	2.47 грн
24000+	2.2 грн

Мінімальне замовлення: 15

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HN1B04FE-Y,LF Toshiba

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1B04FE-Y,LF

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	HN1B04FE-Y,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active	на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)
	HN1B04FE-Y,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active	товар відсутній