Технічний опис HN1B04FE-Y,LF Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції HN1B04FE-Y,LF за ціною від 2.30 грн до 4.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1B04FE-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN, PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| HN1B04FE-Y,LF | Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R |
на замовлення 6908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HN1B04FE-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN, PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HN1B04FE-Y,LF |
|
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R
на замовлення 6908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 167+ | 4.53 грн |
| 248+ | 3.05 грн |
| 250+ | 3.02 грн |
| 255+ | 2.85 грн |
| 260+ | 2.59 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| 1000+ | 2.39 грн |
| 3000+ | 2.34 грн |
| 6000+ | 2.30 грн |