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HN1B04FU-GR,LF(T

HN1B04FU-GR,LF(T TOSHIBA


Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
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Bauform - Transistor: SOT-363
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Verlustleistung, NPN: 200mW
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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Технічний опис HN1B04FU-GR,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung, PNP: 200mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA.

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HN1B04FU-GR,LF(T HN1B04FU-GR,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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 Мінімальне замовлення: 5 шт
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HN1B04FU-GR,LF(T HN1B04FU-GR,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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 Мінімальне замовлення: 500 шт
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HN1B04FU-GR,LF(T HN1B04FU-GR,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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на замовлення 2980 шт:
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Мінімальне замовлення: 500 шт
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HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GR,LF(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
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