HN1B04FU-Y,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Verlustleistung, PNP: 200mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA
Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
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euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 200mW
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.46 грн |
| 5000+ | 2.76 грн |
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Технічний опис HN1B04FU-Y,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN1B04FU-Y,LF(T за ціною від 2.76 грн до 16.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
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HN1B04FU-Y,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1B04FU-Y,LF(T - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 150MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 120MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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