Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1B04FU-Y,LF
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.95 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції HN1B04FU-Y,LF за ціною від 3.32 грн до 24.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1B04FU-Y,LF HN1B04FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.39 грн
34+8.89 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF HN1B04FU-Y,LF Toshiba 57D3E05E0F4DC5CCE1C7F00757943CE4A8BFB72FD1AD5B3E0418D403D5FA804E.pdf Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF Toshiba docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+24.02 грн
46+16.30 грн
115+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
HN1B04FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: US6
на замовлення 10733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.39 грн
34+8.89 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF 57D3E05E0F4DC5CCE1C7F00757943CE4A8BFB72FD1AD5B3E0418D403D5FA804E.pdf
HN1B04FU-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT LF Transistor +/-.15A +/-50V
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1B04FU-Y,LF docget.jsp?did=19150&prodName=HN1B04FU
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+24.02 грн
46+16.30 грн
115+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.