HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.01 грн |
| 26+ | 11.71 грн |
| 100+ | 7.30 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 300mW, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SM6, Frequency - Transition: 800MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V.
Інші пропозиції HN1C01F-GR(TE85L,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1C01F-GR(TE85L,F | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A |
на замовлення 11411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN1C01F-GR(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)