HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 800MHz, Supplier Device Package: SM6.
Інші пропозиції HN1C01F-GR(TE85L,F за ціною від 3.47 грн до 22.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
HN1C01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 125°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SM6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1C01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A |
на замовлення 3946 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN1C01F-GR(TE85L,F | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 6-Pin SM T/R |
товару немає в наявності |