HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage


HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.39 грн
26+11.93 грн
100+7.44 грн
500+5.16 грн
1000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 800MHz, Supplier Device Package: SM6.

Інші пропозиції HN1C01F-GR(TE85L,F за ціною від 3.21 грн до 20.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Виробник : Toshiba 3539314439343230463732314532364436304139363934443430423933343342.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 50V NPN NPN 0.15A
на замовлення 11411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.99 грн
26+12.75 грн
100+6.97 грн
500+5.16 грн
1000+4.39 грн
3000+3.63 грн
6000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01F-GR(TE85L,F HN1C01F-GR(TE85L,F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=19165&prodName=HN1C01F Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.