Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1C01FE-GR,LF
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+18.03 грн
30+10.34 грн
100+6.42 грн
500+4.42 грн
1000+3.90 грн
2000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1C01FE-GR,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1C01FE-GR,LF HN1C01FE-GR,LF Toshiba EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 17828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LF EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf
HN1C01FE-GR,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 17828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.