HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.70 грн |
| 30+ | 10.15 грн |
| 100+ | 6.31 грн |
| 500+ | 4.34 грн |
| 1000+ | 3.83 грн |
| 2000+ | 3.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1C01FE-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA.
Інші пропозиції HN1C01FE-GR,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1C01FE-GR,LF | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp |
на замовлення 17828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN1C01FE-GR,LF |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
на замовлення 17828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)