HN1C01FE-GR,LXHF

HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage


HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Part Status: Active, Supplier Device Package: ES6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції HN1C01FE-GR,LXHF за ціною від 3.66 грн до 25.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Qualification: AEC-Q101
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Grade: Automotive
Power - Max: 100mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.53 грн
21+14.63 грн
100+9.13 грн
500+6.34 грн
1000+5.62 грн
2000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Виробник : Toshiba EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.43 грн
22+15.20 грн
100+8.37 грн
500+6.19 грн
1000+5.49 грн
2000+4.92 грн
4000+3.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.