Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1C01FE-GR,LXHF
HN1C01FE-GR,LXHF

HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції HN1C01FE-GR,LXHF за ціною від 4.97 грн до 24.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE-GR,LXHF Toshiba EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF HN1C01FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=22307&prodName=HN1C01FE
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.04 грн
500+6.28 грн
1000+5.57 грн
2000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FE-GR,LXHF EA8F53DC000E25444A42E1DC31F674201B066F9691C4EAE30F3630E42674269B.pdf
HN1C01FE-GR,LXHF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
на замовлення 7757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.