HN1C01FU-GR,LF(T TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN1C01FU-GR,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN1C01FU-GR,LF(T за ціною від 4.40 грн до 20.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN1C01FU-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HN1C01FU-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
HN1C01FU-GR,LF(T | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1C01FU-GR,LF(T - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 150 mA, 200 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 80MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
HN1C01FU-GR,LF(T | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 200mW 6-Pin US T/R |
товару немає в наявності |