Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1C01FU-GR,LXHF
HN1C01FU-GR,LXHF

HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.90 грн
6000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FU-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1C01FU-GR,LXHF за ціною від 8.22 грн до 48.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU-GR,LXHF Виробник : Toshiba HN1C01FU_datasheet_en_20210706-1627341.pdf Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.55 грн
10+41.44 грн
100+25.83 грн
500+19.89 грн
1000+16.95 грн
3000+8.73 грн
9000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-GR,LXHF HN1C01FU-GR,LXHF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1C01FU_datasheet_en_20210706.pdf?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.