Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1C01FU-Y,LF
HN1C01FU-Y,LF

HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.45 грн
9000+2.30 грн
15000+2.00 грн
21000+1.91 грн
30000+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 125°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1C01FU-Y,LF за ціною від 3.20 грн до 14.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1C01FU-Y,LF HN1C01FU-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.30 грн
500+3.64 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF HN1C01FU-Y,LF Toshiba 3439443730313542343138433645324238354336333442373236383536443435.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF docget.jsp?did=19152&prodName=HN1C01FU
HN1C01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 150MA US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
35+8.60 грн
100+5.30 грн
500+3.64 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C01FU-Y,LF 3439443730313542343138433645324238354336333442373236383536443435.pdf
HN1C01FU-Y,LF
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 to 400 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.