Продукція > TOSHIBA > HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F) TOSHIBA

docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.53 грн
500+9.44 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C03F-B(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції HN1C03F-B(TE85L,F) за ціною від 6.17 грн до 59.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.98 грн
37+23.25 грн
100+14.53 грн
500+9.44 грн
1000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN1C03F_datasheet_en_20140301-1628515.pdf Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.11 грн
10+57.74 грн
100+34.21 грн
1000+22.17 грн
3000+10.36 грн
9000+6.48 грн
24000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
на замовлення 2723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba 267docget.jsptypedatasheetlangenpidhn1c03f.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 300mW 6-Pin SM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1C03F-B(TE85L,F) HN1C03F-B(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19154&prodName=HN1C03F Description: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.