Технічний опис HN1C03F-B(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-26, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA.
Інші пропозиції HN1C03F-B(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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HN1C03F-B(TE85L,F) | Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6 |
на замовлення 8224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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HN1C03F-B(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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HN1C03F-B(TE85L,F) | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA |
на замовлення 2622 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| HN1C03F-B(TE85L,F) |
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Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, SM6
на замовлення 8224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| HN1C03F-B(TE85L,F) |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| HN1C03F-B(TE85L,F) |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
Description: TOSHIBA - HN1C03F-B(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 20 V, 300 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Übergangsfrequenz, NPN: 30MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 300mA
на замовлення 2622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)