Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1C03FU-B,LF
HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 2906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.44 грн
15+ 19.47 грн
100+ 11.03 грн
500+ 6.86 грн
1000+ 5.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1C03FU-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 300mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: US6, Part Status: Active.

Інші пропозиції HN1C03FU-B,LF за ціною від 7.28 грн до 29.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU-B,LF Виробник : Toshiba HN1C03FU_datasheet_en_20140301-1609071.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN + NPN Ind. Transistor, VCEO=20V, IC=0.3A, hFE=350 to 1200 in SOT-26 (SM6) package
на замовлення 14510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.6 грн
14+ 22.19 грн
100+ 10.95 грн
500+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
HN1C03FU-B,LF HN1C03FU-B,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19156&prodName=HN1C03FU Description: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 300mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
товар відсутній