Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Name: HN1D01FE(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 4516657-3
Price: 333.40000000000003 UAH
Availability: InStock

HN1D01FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22427&prodName=HN1D01FE

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V

на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.34 грн
14+	22.55 грн
100+	11.38 грн
500+	8.71 грн
1000+	6.46 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Pair Common Anode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: ES6, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції HN1D01FE(TE85L,F)

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	HN1D01FE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ES6 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	HN1D01FE(TE85L,F)	Виробник : Toshiba	Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.