HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


HN1D01FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22427&prodName=HN1D01FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1180 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.23 грн
14+22.47 грн
100+11.34 грн
500+8.68 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1D01FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: ES6, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Diode Configuration: 2 Pair Common Anode, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції HN1D01FE(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN1D01FE(TE85L,F) HN1D01FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01FE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22427&prodName=HN1D01FE Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: ES6
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01FE(TE85L,F) HN1D01FE(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN1D01FE_datasheet_en_20140301-907350.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 80V ES6 0.1A High Speed
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.