HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage


HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.39 грн
6000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: US6, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції HN1D02FU,LF за ціною від 5.79 грн до 30.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.02 грн
15+20.16 грн
100+10.20 грн
500+7.80 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU,LF Toshiba HN1D02FU_datasheet_en_20210625-1916502.pdf Small Signal Switching Diodes US6-M8,
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: US6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.02 грн
15+20.16 грн
100+10.20 грн
500+7.80 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU,LF HN1D02FU_datasheet_en_20210625-1916502.pdf
Виробник: Toshiba
Small Signal Switching Diodes US6-M8,
на замовлення 3394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.