HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 200mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 14+ | 22.46 грн |
| 100+ | 11.33 грн |
| 500+ | 8.68 грн |
| 1000+ | 6.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2A01FU-Y(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6, Operating Temperature: 125°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Cut Tape (CT), Supplier Device Package: US6, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 200mW.
Інші пропозиції HN2A01FU-Y(TE85L,F
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN2A01FU-Y(TE85L,F | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A |
на замовлення 486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN2A01FU-Y(TE85L,F |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A
Bipolar Transistors - BJT Dual Trans PNP x 2 US6, -50V, -0.15A
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)