HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 2509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2D01FU(TE85L,F) Toshiba
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 3 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA, Supplier Device Package: US6, Operating Temperature - Junction: 125°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції HN2D01FU(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN2D01FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Rectifier Diode Switching 85V 0.08A 4ns 6-Pin US T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
HN2D01FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 3 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 80mA Supplier Device Package: US6 Operating Temperature - Junction: 125°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
товару немає в наявності |