Продукція > TOSHIBA > HN2D01JE(TE85L,F)
HN2D01JE(TE85L,F)

HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba


docget.pdf Виробник: Toshiba
Rectifier Diode Switching 85V 0.2A 1.6ns 5-Pin ESV T/R
на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
965+12.62 грн
1080+11.28 грн
1121+10.87 грн
2000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 965
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba

Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Supplier Device Package: ESV, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.

Інші пропозиції HN2D01JE(TE85L,F) за ціною від 5.14 грн до 31.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.72 грн
100+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN2D01JE_datasheet_en_20230512-907368.pdf Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.85 грн
16+22.37 грн
100+8.73 грн
1000+6.09 грн
4000+6.02 грн
8000+5.21 грн
24000+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN2D01JE(TE85L,F) HN2D01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.