| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 965+ | 14.63 грн |
| 1080+ | 13.08 грн |
| 1121+ | 12.60 грн |
| 2000+ | 12.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: ESV, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA, Diode Configuration: 2 Independent, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HN2D01JE(TE85L,F) за ціною від 9.71 грн до 28.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN2D01JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-553 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA Supplier Device Package: ESV Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
HN2D01JE(TE85L,F) | Toshiba |
 Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V |
на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN2D01JE(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ESV
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.61 грн |
| 16+ | 19.21 грн |
| 100+ | 9.71 грн |
| HN2D01JE(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 2 Circuit 0.1A 80V
на замовлення 7016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)