Продукція > TOSHIBA > HN2S01FU(TE85L,F)
HN2S01FU(TE85L,F)

HN2S01FU(TE85L,F) Toshiba


706docget.jsppidhn2s01fulangentypedatasheet.jsppidhn2s01fulangentype.pdf Виробник: Toshiba
Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
на замовлення 1609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
930+12.52 грн
938+ 12.42 грн
1017+ 11.45 грн
1044+ 10.76 грн
Мінімальне замовлення: 930
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN2S01FU(TE85L,F) Toshiba

Category: SMD Schottky diodes, Description: Diode: Schottky switching; SMD; 15V; 0.1A; US6; reel,tape; 200mW, Mounting: SMD, Case: US6, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 0.2W, Type of diode: Schottky switching, Max. off-state voltage: 15V, Max. load current: 0.2A, Max. forward voltage: 0.5V, Load current: 0.1A, Semiconductor structure: triple independent, Max. forward impulse current: 1A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції HN2S01FU(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HN2S01FU(TE85L,F) HN2S01FU(TE85L,F) Виробник : Toshiba 706docget.jsppidhn2s01fulangentypedatasheet.jsppidhn2s01fulangentype.pdf Diode Small Signal Schottky 15V 0.2A 6-Pin US T/R
товар відсутній
HN2S01FU(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA HN2S01FU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 15V; 0.1A; US6; reel,tape; 200mW
Mounting: SMD
Case: US6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 15V
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: triple independent
Max. forward impulse current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HN2S01FU(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA HN2S01FU.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SMD; 15V; 0.1A; US6; reel,tape; 200mW
Mounting: SMD
Case: US6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 15V
Max. load current: 0.2A
Max. forward voltage: 0.5V
Load current: 0.1A
Semiconductor structure: triple independent
Max. forward impulse current: 1A
товар відсутній