Технічний опис HN4A06J(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV.
Інші пропозиції HN4A06J(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
HN4A06J(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A |
на замовлення 16004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN4A06J(TE85L,F) |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
на замовлення 16004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




