Продукція > TOSHIBA > HN4A06J(TE85L,F)
HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F) Toshiba


693docget.jsptypedatasheetlangenpidhn4a06j.jsptypedatasheetlangenpid.pdf Виробник: Toshiba
Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 2085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
870+14.00 грн
876+13.90 грн
902+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 870
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4A06J(TE85L,F) Toshiba

Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SMV.

Інші пропозиції HN4A06J(TE85L,F) за ціною від 6.46 грн до 32.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN4A06J_datasheet_en_20140301-1838741.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
на замовлення 16995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.54 грн
14+24.81 грн
100+12.99 грн
500+11.01 грн
1000+8.44 грн
3000+7.12 грн
9000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A06J(TE85L,F) HN4A06J(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN4A06J.pdf Description: TRANS 2PNP 120V 100MA SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.