Продукція > TOSHIBA > HN4A51J(TE85L,F)

HN4A51J(TE85L,F) TOSHIBA



Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4A51J(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 300mW, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -.

Інші пропозиції HN4A51J(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN4A51J(TE85L,F) HN4A51J(TE85L,F) TOSHIBA Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4A51J(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 300mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.