HN4A51J(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Übergangsfrequenz, NPN: -
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Verlustleistung, PNP: 300mW
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz
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DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.95 грн |
| 500+ | 12.58 грн |
| 1000+ | 10.01 грн |
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Технічний опис HN4A51J(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 300mW, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA, Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN4A51J(TE85L,F) за ціною від 10.01 грн до 37.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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HN4A51J(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4A51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 300mW usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HN4A51J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 300mW 5-Pin SMV T/R |
товару немає в наявності |