Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > HN4B01JE(TE85L,F)
HN4B01JE(TE85L,F)

HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
22+14.14 грн
100+8.82 грн
500+6.13 грн
1000+5.44 грн
2000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-553, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 80MHz, Supplier Device Package: ESV.

Інші пропозиції HN4B01JE(TE85L,F) за ціною від 3.08 грн до 28.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.68 грн
18+19.67 грн
100+7.12 грн
1000+4.40 грн
8000+3.60 грн
24000+3.45 грн
48000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B01JE(TE85L,F) HN4B01JE(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage HN4B01JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22310&prodName=HN4B01JE Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.