HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: ESV
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.09 грн |
| 22+ | 13.71 грн |
| 100+ | 8.55 грн |
| 500+ | 5.95 грн |
| 1000+ | 5.27 грн |
| 2000+ | 4.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4B01JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN, Supplier Device Package: ESV, Frequency - Transition: 80MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 100mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-553, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції HN4B01JE(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4B01JE(TE85L,F) | Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V |
на замовлення 3839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HN4B01JE(TE85L,F) |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
Bipolar Transistors - BJT Vceo=-50V Vceo=50V
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)