HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Obsolete
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4B04J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74A, SOT-753, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SMV, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції HN4B04J(TE85L,F)
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4B04J(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| HN4B04J(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.