HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.83 грн |
| 500+ | 20.18 грн |
| 1000+ | 14.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.1W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN4B102J(TE85L,F) за ціною від 14.82 грн до 71.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 750mW Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 750mW Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V Supplier Device Package: SMV |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
HN4B102J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR SMV V=30V F=1MHZ |
товару немає в наявності |