Продукція > TOSHIBA > HN4B102J(TE85L,F)
HN4B102J(TE85L,F)

HN4B102J(TE85L,F) Toshiba

706hn4b102j_datasheet_en_20131101.pdf.pdf
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN/PNP 30V 2A/1.8A 1100mW 5-Pin SMV T/R
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
221+63.58 грн
453+31.03 грн
496+28.33 грн
498+27.21 грн
613+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4B102J(TE85L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 1.1W, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.1W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A.

Інші пропозиції HN4B102J(TE85L,F) за ціною від 17.66 грн до 69.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J(TE85L,F) TOSHIBA HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.28 грн
10+41.51 грн
100+27.04 грн
500+19.55 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
HN4B102J(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
HN4B102J(TE85L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4B102J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 1.1 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung, PNP: 1.1W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 2A
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 2A
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HN4B102J(TE85L,F) HN4B102J_datasheet_en_20131101.pdf?did=639&prodName=HN4B102J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 750mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1.8A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 200mA, 2V
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+69.28 грн
10+41.51 грн
100+27.04 грн
500+19.55 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.