HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SMV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.39 грн |
| 6000+ | 8.24 грн |
| 9000+ | 7.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції HN4C51J(TE85L,F) за ціною від 6.97 грн до 45.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HN4C51J(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
HN4C51J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A |
на замовлення 8342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN4C51J(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Common Base Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SMV |
на замовлення 11859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
HN4C51J(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: - usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-25 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 300mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|