Продукція > TOSHIBA > HN4C51J(TE85L,F)
HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F) TOSHIBA

docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.65 грн
500+10.55 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HN4C51J(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-25, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 300mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції HN4C51J(TE85L,F) за ціною від 6.92 грн до 39.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TOSHIBA - HN4C51J(TE85L,F) - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 120 V, 100 mA, 300 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 120V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-25
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 300mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.36 грн
39+21.57 грн
100+14.65 грн
500+10.55 грн
1000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Виробник : Toshiba HN4C51J_datasheet_en_20140301-2887515.pdf Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq 120V NPN NPN 0.1A
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.39 грн
11+31.57 грн
100+18.71 грн
500+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 11176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HN4C51J(TE85L,F) HN4C51J(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN4C51J Description: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.