Продукція > HARRIS CORPORATION > HUF75339P3
HUF75339P3

HUF75339P3 Harris Corporation

HRISS01065-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
на замовлення 14025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75339P3 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75339P3 за ціною від 50.59 грн до 182.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75339P3 HUF75339P3 ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 200W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
5+109.44 грн
10+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi huf75339p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.88 грн
50+86.69 грн
100+78.05 грн
500+59.01 грн
1000+54.44 грн
2000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi huf75339p3-d.pdf HRISS01065-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi / Fairchild HUF75339P3-D.pdf MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3.pdf
HUF75339P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Gate charge: 130nC
On-state resistance: 12mΩ
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 200W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
5+109.44 грн
10+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.88 грн
50+86.69 грн
100+78.05 грн
500+59.01 грн
1000+54.44 грн
2000+50.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf HRISS01065-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75339P3
Виробник: onsemi
MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3-D.pdf
HUF75339P3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.