
HUF75339P3 ON Semiconductor
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 70.68 грн |
10+ | 68.75 грн |
100+ | 60.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75339P3 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції HUF75339P3 за ціною від 58.70 грн до 171.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
HUF75339P3 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |