Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75339P3
HUF75339P3

HUF75339P3 ON Semiconductor

huf75339p3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+88.03 грн
10+85.62 грн
100+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75339P3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF75339P3 за ціною від 83.05 грн до 193.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75339P3 HUF75339P3 ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 ONSEMI HUF75339P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Power dissipation: 200W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
5+109.44 грн
10+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi huf75339p3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.73 грн
50+92.19 грн
100+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi huf75339p3-d.pdf MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 onsemi / Fairchild HUF75339P3-D.pdf MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 ONSEMI ONSM-S-A0003591086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3 ON Semiconductor huf75339p3-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
161+88.03 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3.pdf
HUF75339P3
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 75A; 200W; TO220AB
Power dissipation: 200W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
5+109.44 грн
10+88.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.73 грн
50+92.19 грн
100+83.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: onsemi
MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 HUF75339P3-D.pdf
HUF75339P3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 75a 55V 0.012Ohm NCh UltraFET
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 ONSM-S-A0003591086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
HUF75339P3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75339P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.012 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75339P3 huf75339p3-d.pdf
HUF75339P3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 55V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.