Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75639S3ST
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST ON Semiconductor

huf75639s3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+75.57 грн
10+71.59 грн
25+71.35 грн
50+68.11 грн
100+57.13 грн
250+54.30 грн
500+53.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 80.19 грн до 255.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+102.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.35 грн
250+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.78 грн
10+154.19 грн
100+107.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.01 грн
10+168.36 грн
50+143.60 грн
100+110.35 грн
250+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi / Fairchild huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.77 грн
10+175.98 грн
25+152.29 грн
100+105.94 грн
500+95.64 грн
800+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
1000+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
1000+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST
Код товару: 163634
Додати до обраних Обраний товар

huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
1000+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
1000+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+117.94 грн
500+112.86 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw HUF75639S3ST SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.