Продукція > ONSEMI > HUF75639S3ST
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST ONSEMI

HUF75639S3S-D.PDF Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.73 грн
250+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3ST ONSEMI

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 54.38 грн до 263.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST
Код товару: 163634
Додати до обраних Обраний товар

huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+76.11 грн
10+72.10 грн
25+71.86 грн
50+68.60 грн
100+57.55 грн
250+54.69 грн
500+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+91.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+96.84 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.86 грн
10+158.91 грн
100+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.83 грн
10+173.52 грн
50+148.00 грн
100+113.73 грн
250+102.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi / Fairchild huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 4578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.61 грн
10+181.37 грн
25+156.95 грн
100+109.19 грн
500+98.57 грн
800+82.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST Виробник : FAIRCHILD huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
259+118.80 грн
500+113.68 грн
1000+107.53 грн
Мінімальне замовлення: 259
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E8EF86412D5EA&compId=HUF75639S3ST.pdf?ci_sign=b0b30c304ec406a4bae63adb3260faf049a9f397 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E8EF86412D5EA&compId=HUF75639S3ST.pdf?ci_sign=b0b30c304ec406a4bae63adb3260faf049a9f397 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.