Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75639S3ST
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST ON Semiconductor

huf75639s3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 64.46 грн до 192.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+80.1 грн
800+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
235+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 235
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+162.93 грн
10+ 136.39 грн
25+ 111.32 грн
100+ 80.1 грн
800+ 64.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.73 грн
10+ 141.98 грн
100+ 112.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi / Fairchild HUF75639S3S_D-2314668.pdf MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.45 грн
10+ 155.69 грн
100+ 109.09 грн
800+ 78.21 грн
2400+ 77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
HUF75639S3ST
Код товару: 163634 		huf75639s3s-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3ST.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639s3s-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3ST.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: UltraFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній