Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > HUF75639S3ST

HUF75639S3ST

ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Код товару: 163634
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 111.06 грн до 356.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.47 грн
10+126.80 грн
100+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
10000+125.87 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.71 грн
10+243.22 грн
100+169.71 грн
500+162.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST onsemi / Fairchild 423A5F16512132725470531FE597A9402FCD6F1325C006DA91B9977AE36FBF35.pdf MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HUF75639S3ST
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
160+125.10 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.47 грн
10+126.80 грн
100+111.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
10000+125.87 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+176.40 грн
500+158.76 грн
1000+147.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST huf75639s3s-d.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+356.71 грн
10+243.22 грн
100+169.71 грн
500+162.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3S-D.PDF
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST 423A5F16512132725470531FE597A9402FCD6F1325C006DA91B9977AE36FBF35.pdf
HUF75639S3ST
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3S-D.PDF
HUF75639S3ST
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.