Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 76.17 грн до 350.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
HUF75639S3ST | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm |
на замовлення 1893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
HUF75639S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |