Продукція > ONSEMI > HUF75639S3ST

HUF75639S3ST ONSEMI

Name: HUF75639S3ST
Brand: ONSEMI
SKU: 6619269-6
Price: 10885 UAH
Availability: InStock

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	108.85 грн
250+	98.38 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3ST ONSEMI

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 53.86 грн до 260.75 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 8011 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн
1000+	106.50 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 932 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST
Код товару: 163634

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	75.39 грн
10+	71.41 грн
25+	71.17 грн
50+	67.94 грн
100+	57.00 грн
250+	54.17 грн
500+	53.86 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	87.28 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	91.39 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
235+	92.68 грн

Мінімальне замовлення: 235

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	96.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	97.76 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
800+	102.64 грн

Мінімальне замовлення: 800

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V

на замовлення 1480 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	227.64 грн
10+	152.09 грн
100+	105.95 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ONSEMI

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 286 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	251.54 грн
10+	166.07 грн
50+	141.64 грн
100+	108.85 грн
250+	98.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : onsemi / Fairchild

MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm

на замовлення 4578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	260.75 грн
10+	169.41 грн
100+	103.77 грн
800+	87.81 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 96165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн
1000+	106.50 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн
1000+	106.50 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : FAIRCHILD

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

на замовлення 2210 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
259+	117.66 грн
500+	112.59 грн
1000+	106.50 грн

Мінімальне замовлення: 259

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ONSEMI

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

HUF75639S3ST

Виробник : ONSEMI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.