HUF75639S3ST ON Semiconductor
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 88.45 грн |
| 10+ | 83.79 грн |
| 25+ | 83.51 грн |
| 50+ | 79.72 грн |
| 100+ | 66.88 грн |
| 250+ | 63.56 грн |
| 500+ | 63.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75639S3ST ON Semiconductor
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 83.24 грн до 272.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75639S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 1480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm |
на замовлення 4578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
HUF75639S3ST Код товару: 163634
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 96165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUF75639S3ST | Виробник : ONSEMI |
HUF75639S3ST SMD N channel transistors |
на замовлення 756 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
HUF75639S3ST | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |



