Продукція > ON SEMICONDUCTOR > HUF75639S3ST
HUF75639S3ST

HUF75639S3ST ON Semiconductor

huf75639s3s-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF75639S3ST ON Semiconductor

Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 56A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції HUF75639S3ST за ціною від 84.62 грн до 336.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.57 грн
10+119.73 грн
100+104.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+136.36 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
1000+129.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
1000+129.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
1000+129.54 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 96165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
1000+129.54 грн
10000+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
200+155.45 грн
500+139.91 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E8EF86412D5EA&compId=HUF75639S3ST.pdf?ci_sign=b0b30c304ec406a4bae63adb3260faf049a9f397 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.92 грн
10+138.28 грн
50+107.55 грн
100+101.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST
Код товару: 163634
Додати до обраних Обраний товар

huf75639g3-d.pdf ONSM-S-A0003591158-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8E8EF86412D5EA&compId=HUF75639S3ST.pdf?ci_sign=b0b30c304ec406a4bae63adb3260faf049a9f397 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UltraFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 56A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.50 грн
10+172.32 грн
50+129.06 грн
100+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.25 грн
10+157.04 грн
100+109.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi / Fairchild 423A5F16512132725470531FE597A9402FCD6F1325C006DA91B9977AE36FBF35.pdf MOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.22 грн
10+173.20 грн
100+104.80 грн
500+104.03 грн
800+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.75 грн
10+185.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.81 грн
10+229.64 грн
100+160.24 грн
500+153.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ONSEMI HUF75639S3S-D.PDF Description: ONSEMI - HUF75639S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : ON Semiconductor huf75639s3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF75639S3ST HUF75639S3ST Виробник : onsemi huf75639g3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.