| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 725.32 грн |
| 10+ | 403.17 грн |
| 120+ | 335.94 грн |
| 2520+ | 322.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HUF75652G3 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 515W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції HUF75652G3 за ціною від 364.82 грн до 748.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HUF75652G3 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 75a 100VN-Ch MOSFET |
на замовлення 753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
HUF75652G3 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7585 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 475 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 515W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| HUF75652G3 | Виробник : ONS/FAI |
MOSFET N-CH Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
HUF75652G3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 515W; TO247 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Case: TO247 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: UltraFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 475nC On-state resistance: 8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 75A Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 515W |
товару немає в наявності |


