Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > HUF76609D3ST
HUF76609D3ST

HUF76609D3ST onsemi / Fairchild

HUF76609D3S_D-2314697.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.62 грн
10+42.99 грн
100+29.29 грн
500+23.67 грн
1000+22.02 грн
10000+21.40 грн
25000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76609D3ST onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 49W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V.

Інші пропозиції HUF76609D3ST за ціною від 28.76 грн до 74.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HUF76609D3ST HUF76609D3ST Виробник : ON Semiconductor 3673378972825414huf76609d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+56.86 грн
14+53.76 грн
100+42.08 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST Виробник : onsemi ONSM-S-A0003590912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.86 грн
10+63.24 грн
100+48.46 грн
500+35.95 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST Виробник : ON Semiconductor 3673378972825414huf76609d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST Виробник : ON Semiconductor 3673378972825414huf76609d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST Виробник : onsemi ONSM-S-A0003590912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.