HUF76609D3ST ON Semiconductor


3673378972825414huf76609d3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.29 грн
14+55.11 грн
100+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HUF76609D3ST ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 49W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ).

Інші пропозиції HUF76609D3ST за ціною від 28.82 грн до 75.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
HUF76609D3ST HUF76609D3ST onsemi ONSM-S-A0003590912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.00 грн
10+63.36 грн
100+48.55 грн
500+36.02 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST onsemi / Fairchild HUF76609D3S_D-2314697.pdf MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3ST ON Semiconductor 3673378972825414huf76609d3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST ONSM-S-A0003590912-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.00 грн
10+63.36 грн
100+48.55 грн
500+36.02 грн
1000+28.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST HUF76609D3S_D-2314697.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 10a 100V 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
на замовлення 9111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HUF76609D3ST 3673378972825414huf76609d3s-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.