IAUC60N04S6N031H Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 189.71 грн |
| 78+ | 182.49 грн |
| 100+ | 176.29 грн |
| 250+ | 164.84 грн |
| 500+ | 148.48 грн |
| 1000+ | 139.05 грн |
| 2500+ | 135.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUC60N04S6N031H Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 22A, Pulsed drain current: 311A, Power dissipation: 75W, Case: PG-TDSON-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 3.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 30nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IAUC60N04S6N031H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUC60N04S6N031H | Infineon Technologies | MOSFET_(20V 40V) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IAUC60N04S6N031HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 22A Pulsed drain current: 311A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUC60N04S6N031H |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET_(20V 40V)
MOSFET_(20V 40V)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IAUC60N04S6N031HATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 22A; Idm: 311A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 311A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.