Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IAUS165N08S5N029
IAUS165N08S5N029

IAUS165N08S5N029 Infineon Technologies

infineon-iaus165n08s5n029-ds-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 165A Automotive 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+328.75 грн
45+314.63 грн
50+302.64 грн
100+281.93 грн
250+253.13 грн
500+236.39 грн
1000+230.61 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 44 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IAUS165N08S5N029 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 165A, Pulsed drain current: 660A, Power dissipation: 167W, Case: PG-HSOG-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.9mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 31nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції IAUS165N08S5N029

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IAUS165N08S5N029 Infineon Technologies Infineon_IAUS165N08S5N029_DS_v01_00_EN-3163229.pdf MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IAUS165N08S5N029.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029 Infineon_IAUS165N08S5N029_DS_v01_00_EN-3163229.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS165N08S5N029ATMA1 IAUS165N08S5N029.pdf
IAUS165N08S5N029ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.