IAUS300N08S5N012 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) HSOG T/R
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 631.52 грн |
| 25+ | 604.39 грн |
| 50+ | 581.36 грн |
| 100+ | 541.58 грн |
| 250+ | 486.25 грн |
| 500+ | 454.10 грн |
| 1000+ | 442.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUS300N08S5N012 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: OptiMOS™ 5, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 80V, Drain current: 300A, Pulsed drain current: 1.2kA, Power dissipation: 375W, Case: PG-HSOG-8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 73nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції IAUS300N08S5N012
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IAUS300N08S5N012 | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET_(75V 120V( |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IAUS300N08S5N012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 300A Pulsed drain current: 1.2kA Power dissipation: 375W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUS300N08S5N012 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
MOSFETs MOSFET_(75V 120V(
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IAUS300N08S5N012ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 300A; Idm: 1.2kA; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 300A
Pulsed drain current: 1.2kA
Power dissipation: 375W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.