| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 130+ | 109.12 грн |
| 136+ | 104.24 грн |
| 250+ | 100.06 грн |
| 500+ | 93.00 грн |
| 1000+ | 83.30 грн |
| 2500+ | 77.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IAUZ40N06S5L050 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 12A, Power dissipation: 71W, Case: PG-TSDSON-8, On-state resistance: 6.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 36.7nC, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 252A, Technology: OptiMOS™ 5, Gate-source voltage: ±16V, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції IAUZ40N06S5L050
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IAUZ40N06S5L050 | Infineon Technologies | MOSFET_)40V 60V) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36.7nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 252A Technology: OptiMOS™ 5 Gate-source voltage: ±16V Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IAUZ40N06S5L050 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET_)40V 60V)
MOSFET_)40V 60V)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IAUZ40N06S5L050ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 252A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.