Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IDH04G65C6
IDH04G65C6

IDH04G65C6 Infineon Technologies

870infineon-idh04g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ccf5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+198.23 грн
75+190.67 грн
100+184.20 грн
250+172.24 грн
500+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH04G65C6 Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 4A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.4V, Max. forward impulse current: 23A, Leakage current: 31µA, Power dissipation: 45W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.

Інші пропозиції IDH04G65C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDH04G65C6 Infineon Technologies Infineon SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH04G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6
Виробник: Infineon Technologies
Infineon SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH04G65C6XKSA1 IDH04G65C6.pdf
IDH04G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; PG-TO220-2; Ir: 31uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 23A
Leakage current: 31µA
Power dissipation: 45W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.