IDH20G65C6 Infineon Technologies


938infineon-idh20g65c6-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015ce39.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Diode Schottky SiC 650V 41A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+838.10 грн
25+799.41 грн
50+767.24 грн
100+713.75 грн
250+640.38 грн
500+597.92 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDH20G65C6 Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 6G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 20A, Semiconductor structure: single diode, Case: PG-TO220-2, Max. forward voltage: 1.25V, Max. forward impulse current: 79A, Leakage current: 153µA, Power dissipation: 108W, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.17...1.37mm.

Інші пропозиції IDH20G65C6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDH20G65C6 Infineon Technologies Infineon_IDH20G65C6_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IDH20G65C6.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6 Infineon_IDH20G65C6_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDH20G65C6XKSA1 IDH20G65C6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; PG-TO220-2; 108W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 6G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 79A
Leakage current: 153µA
Power dissipation: 108W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...1.37mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.