IDW20G65C5B Infineon Technologies



Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode Schottky 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1038.48 грн
25+990.54 грн
50+950.68 грн
100+884.41 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IDW20G65C5B Infineon Technologies

Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: CoolSiC™ 5G; SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A x2, Semiconductor structure: common cathode; double, Case: PG-TO247-3, Max. forward voltage: 1.8V, Max. forward impulse current: 46A, Leakage current: 2µA, Power dissipation: 130W, Kind of package: tube.

Інші пропозиції IDW20G65C5B

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IDW20G65C5B Infineon Technologies Infineon_IDW20G65C5B_DS_v02_00_EN.pdf SiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5BXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IDW20G65C5B.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5B Infineon_IDW20G65C5B_DS_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC Schottky Diodes SIC DIODES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IDW20G65C5BXKSA2 IDW20G65C5B.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; PG-TO247-3; 130W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: PG-TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 46A
Leakage current: 2µA
Power dissipation: 130W
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.