Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IGB10N60T за ціною від 45.93 грн до 125.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGB10N60TATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 392 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IGB10N60T | Infineon Technologies |
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB10N60TATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 125.01 грн |
| 10+ | 73.96 грн |
| 100+ | 50.41 грн |
| 250+ | 45.93 грн |
| IGB10N60T |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
IGBTs Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




