Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IGB110S10S1XTMA1 транзистор польовий

IGB110S10S1XTMA1 транзистор польовий

Код товару: 223298
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IGB110S10S1XTMA1 транзистор польовий за ціною від 51.42 грн до 163.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+73.63 грн
202+70.17 грн
212+66.74 грн
250+64.11 грн
500+58.50 грн
1000+55.34 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.34 грн
11+73.63 грн
25+70.17 грн
100+64.35 грн
250+59.36 грн
500+56.16 грн
1000+55.34 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.41 грн
11+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igb110s10s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
10+100.94 грн
50+76.51 грн
100+64.40 грн
500+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igb110s10s1-datasheet-en.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 Infineon Technologies infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 IGB110S10S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71 Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
193+73.63 грн
202+70.17 грн
212+66.74 грн
250+64.11 грн
500+58.50 грн
1000+55.34 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 193 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+81.34 грн
11+73.63 грн
25+70.17 грн
100+64.35 грн
250+59.36 грн
500+56.16 грн
1000+55.34 грн
3000+54.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+87.41 грн
11+72.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineon-igb110s10s1-datasheet-en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 100V 9A 4TDFN
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.34 грн
10+100.94 грн
50+76.51 грн
100+64.40 грн
500+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineon-igb110s10s1-datasheet-en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in PQFN 3x3, 9.4 mohm
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 infineonigb110s10s1datasheetv0100en.pdf
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 9A 4-Pin TSON EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB110S10S1XTMA1 Infineon-IGB110S10S1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa599e49d6f71
IGB110S10S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB110S10S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.4nC
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.