Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IQE004NE1LM7ATMA1 транзистор польовий

IQE004NE1LM7ATMA1 транзистор польовий

Код товару: 222741
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IQE004NE1LM7ATMA1 транзистор польовий за ціною від 61.37 грн до 246.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.79 грн
10+109.56 грн
25+96.01 грн
100+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+128.79 грн
130+109.56 грн
148+96.01 грн
154+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQE004NE1LM7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c2139e478e Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.65 грн
50+90.45 грн
100+76.35 грн
500+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.03 грн
10+168.58 грн
50+130.03 грн
100+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+246.03 грн
84+168.58 грн
109+130.03 грн
118+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 IQE004NE1LM7ATMA1 INFINEON 4018759.pdf Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IQE004NE1LM7_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+86.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+128.79 грн
10+109.56 грн
25+96.01 грн
100+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 3454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
110+128.79 грн
130+109.56 грн
148+96.01 грн
154+88.58 грн
250+81.20 грн
500+69.97 грн
1000+67.53 грн
3000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon-IQE004NE1LM7-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae4c2139e478e
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 379A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 30A, 7V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 432µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 7V
Vgs (Max): ±7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 7 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 7.5 V
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.25 грн
10+118.65 грн
50+90.45 грн
100+76.35 грн
500+61.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+246.03 грн
10+168.58 грн
50+130.03 грн
100+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 infineon-iqe004ne1lm7-datasheet-v02_00-en.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 15V 58A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 4645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
58+246.03 грн
84+168.58 грн
109+130.03 грн
118+115.63 грн
500+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 4018759.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 4018759.pdf
IQE004NE1LM7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQE004NE1LM7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 15 V, 379 A, 450 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 15V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 379A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 7V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE004NE1LM7ATMA1 Infineon_IQE004NE1LM7_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 15V-30V
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.