Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IGB30N60H3 за ціною від 87.09 грн до 204.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of package: tube |
на замовлення 574 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGB30N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB30N60H3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 204.40 грн |
| 10+ | 140.50 грн |
| 25+ | 115.85 грн |
| 50+ | 100.24 грн |
| 100+ | 87.91 грн |
| 200+ | 87.09 грн |
| IGB30N60H3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)