Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IGB30N60H3 за ціною від 88.90 грн до 191.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGB30N60H3ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 187W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 883 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGB30N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGB30N60H3ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 187W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 191.47 грн |
| 5+ | 141.73 грн |
| 10+ | 124.96 грн |
| 25+ | 103.99 грн |
| 50+ | 92.25 грн |
| 100+ | 88.90 грн |
| IGB30N60H3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
IGBTs 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)