IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 50A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 326W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.47 грн |
| 4+ | 243.06 грн |
| 10+ | 242.26 грн |
| 11+ | 229.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGW25N120H3FKSA1 за ціною від 124.52 грн до 499.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns Switching Energy: 2.65mJ Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 115 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 326 W |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Mounting: THT Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Collector current: 50A Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 326W Collector-emitter voltage: 1.2kV Technology: TRENCHSTOP™ 3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 1957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 50A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon |
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 326W; 5,0V~6,5V; 115nC; -40°C~175°C; IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |