IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.65 грн |
30+ | 264.77 грн |
120+ | 226.94 грн |
510+ | 189.31 грн |
1020+ | 162.1 грн |
2010+ | 152.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IGW25N120H3FKSA1 за ціною від 156.89 грн до 518.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 5303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 326W |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Manufacturer series: H3 Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Type of transistor: IGBT Power dissipation: 326W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon |
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon |
на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IGW25N120H3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |