IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies


DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 3246 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.65 грн
30+ 264.77 грн
120+ 226.94 грн
510+ 189.31 грн
1020+ 162.1 грн
2010+ 152.63 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 326W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IGW25N120H3FKSA1 за ціною від 156.89 грн до 518.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 5303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.98 грн
10+ 338.58 грн
25+ 256.36 грн
100+ 219.64 грн
240+ 212.3 грн
480+ 166.24 грн
1200+ 156.89 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+415.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 326W
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.13 грн
3+ 276.09 грн
9+ 261.48 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON INFNS29742-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25N120H3FKSA1 - IGBT, 50 A, 2.05 V, 326 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+460.59 грн
10+ 375.96 грн
25+ 307.81 грн
240+ 205.15 грн
720+ 184.24 грн
1200+ 179.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 326W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+518.56 грн
3+ 344.05 грн
9+ 313.78 грн
IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e 50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+238.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igw25n120h3-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній